新突破！美光宣布量产1α工艺节点DRAM

美光宣布，采用新的1α制造工艺生产的DRAM已开始批量生产，这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。

1α制造工艺最初将用于生产8Gb和16Gb DDR4和LPDDR4内存。

随着时间的流逝，将来它将用于所有类型的DRAM，这有望显着降低DRAM成本。

到目前为止，美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Znm节点上，这既提供了高位密度（降低了单位成本）又提供了高性能。

美光表示，从利润率和产品组合的角度来看，现在感觉还不错。

与1Z（成熟产量）相比，微米的1α制造工艺有望将存储密度提高40％，这将相应地降低生产者的单位成本。

此外，该技术的功耗降低了15％，性能更高。

美光1α制造工艺最重要的方面之一就是证明仅靠光刻技术的改进不足以降低DRAM的制造成本。

与上一代产品一样，美光的1α节点继续使用6F2位线设计。

1αnm是第四代10nm级DRAM技术。

这是三星，SK Hynix和美光将在2021年竞争的下一代DRAM技术。

随着美光宣布量产1αnm（1-alpha）DRAM产品，预计三星和SK Hynix也将生产1αnm（ 1-alpha）DRAM产品。

很快就会来。

据报道，三星已在2020年基于1Znm工艺技术大规模生产了16GbLPDDR5，并且是率先引入EUV工艺的公司。

三星还计划在2021年大规模生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16GbDDR5 /LPDDR5。

SKHynix新建的M16工厂也已完成EUV洁净室的建设。

设备安装调试后，有望在2021年下半年开始量产第四代1αnm工艺DRAM。

无论是3DNAND还是DRAM技术，美光的技术进步都非常迅速，特别是在推出176层3DNAND之后，它将在2021年第一季度末批量生产，从而领先业界。

美光的1αnm技术DRAM的批量生产不仅是为了应对激烈的市场竞争，而且是为了满足DRAM市场需求的增长。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：1αnm工艺节点体现了美光在DRAM中的优越性能，并计划在2021年集中精力改善1αnm节点的DRAM产品组合，以满足当今的需求。

39; s DRAM。

市场需求以及增强应用程序的范围和影响力，已从移动市场扩展到汽车行业。

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